最佳工作距離條件下二次電子分辨率（測試模式為標準模式，無樣品臺減速模式）：0.9 nm@15 kV1.7nm@1 kV雙束交叉點（WD=5mm）處二次電子分辨率：2.3nm@1kV（鏡筒內二次電子探測器成像）電壓：0.02kV - 30 kV （標準模式下）；束流：5 pA到20 nA，高分辨成像配置 ；離子源類型：UHV，液態鎵金屬離子源（Ga-LMIS）離子源壽命：3000uAh，即1500小時（離子源固定發射束流2uA）FIB分辨率3nm at 30kV（不少于1500點邊統計法）可用探針電流1 pA to 100 nA放大倍數300× - 500,000×加速電壓0.5 kV – 30 kV調整：以10 V為步長連續可調。養護間隔72 小時（Reheat時間間隔）成像／圖形最大視場離子束位移580 x 580 μm± 15 μm駐留時間最小駐留時間：最大駐留時間：25 ns1 sec透鏡類型：兩級靜電式透鏡離子束閘內置，靜電式聚焦控制：粗調和細調控制消像散器類型：八極靜電式消像散器光欄數量：14個機械光欄位置，電動以得到超高的再現性。光欄更換后不需重新對中?？刂疲很浖刂埔赃M行自動操作樣品室與樣品臺樣品室尺寸：內部尺寸進深330mm，寬度330mm，270 mm高。接口：18個（用于EDS、EBSD、SIMS、機械手等）樣品室觀察：提供2套樣品是內紅外CCD攝像機，可全角度實時監控樣品倉內零部件和樣品之間的位置關系分析工作距離：5 - 8.5 mm電子和離子束的重合點工作距離：5 mm (SEM), 12 mm (FIB)鏡筒布局：電子光學和聚焦離子束鏡筒之間的角度是54度。EDS出射角：35度。最大樣品尺寸：最大樣品直徑Φ200mm（樣品可全幅度旋轉且X/Y軸可全幅移動條件下），最大樣品高度50mm更換樣品方式：抽屜式前倉門更換樣品樣品臺類型：6軸馬達驅動高精度超優中心樣品臺，由SmartSEM？用戶界面控制，用雙操縱桿操作。安裝：抽屜式安裝行程: X = 100 mmY = 100 mmZ = 50 mmM = -5 to 8 mm(Z’)Tilt = -4 to 70°Rotation = 360° continuous 附件接口：在樣品臺的門上提供兩個附件接口。帶有集成的接觸報警（與屏幕信息一致的音響接觸報警）樣品電流監視器。樣品座：用于13 mm直徑樣品樁的9樁導航樣品座。束閘：配置用于離子源開關的自動控制束閘指示：軟件中的狀態信息指示全部發射器參數